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℃ 生长的 1.5μm 厚的 n-GAn 层，一个包含 5 个循环的的 in 0.21 GA 0.79 n 2nm /GAn 5nm 多量子井层，一个 0.3μm 厚的 p-GAn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
s swan公司都已经开发出用于工业化生产的ⅲ族氮化物mocvd(lp-mocvd)设备。 2.2 mbe mbe是直接以GA的分子束作为GA源，以nh 3为n源，在衬底表面反应生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
子般的漂流。 另一方面正孔也形成polaroon自我束缚状，加上in原子与GA原子的电气阴性度的差，尤其是in原子周围短距离型电位(potential)，有可能产生强
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
用的材料是砷(as)化镓(GA) ，其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化镓(GA)，其正向pn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
a)为GA源、三甲基铝(tmai)为al源、三甲基铟(tmin)为in源、氨气(nh3)为n源、硅烷(sih4)和二茂镁(cp2mg)分别用作n型和p型掺杂剂。首先在si(111)
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
料是砷(as)化鎵(GA) ，其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化鎵(GA)，其正向pn结压降
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
量的光子，借此可以控制led所发出光的波长，也就是光谱或颜色。历史上第一个led所使用的材料是砷(as)化镓(GA) ,其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.42
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
基mqw结构。使用三甲基镓（tmGA）为GA源、三甲基铝（tmai）为al源、三甲基铟（tmin）为in源、氨气（nh3）为n源、硅烷（sih4）和二茂镁（cp2mg）分别用作n型和
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和sic两种）上，气态物质in,GA,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
d。 led的色彩与工艺：制造led的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，借此可以控制led所发出光的波长，也就是光谱或颜色。历史上第一个led所使用的材料是砷(as)化镓(g
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106910.html2010/10/15 15:04:00
