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提高gan基发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高gan基led外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db

  https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35

提高led外量子效率的研究进展

文章简述了提高外量子效率的集中有效途径,如便面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射出结构、激光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光

  https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39

提高led外量子效率的研究进展

色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

实现200lm/w以上的发光效率和高易用性

为实现200lm/w以上的发光效率,白色led正不断进行改进。不过,白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中,温度稳定性及显色指数等能够拉开差

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40

zno/znmgo 单量子阱室温发光性质的研究

室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应,这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。

  https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45

量子点led照明与显示技术

本文是关于量子点led照明与显示方面的介绍,主要向大家介绍了量子点led照明与显示的背景与发展趋势,并重点介绍了pl qled及其应用。

  https://www.alighting.cn/resource/20161228/147195.htm2016/12/28 14:28:44

【专业术语】量子阱(quantum well)

本文简单的介绍了量子阱(quantum well)的定义和简要的描述,希望能够给初学者借鉴。

  https://www.alighting.cn/resource/20101231/128111.htm2010/12/31 11:31:05

lrc和evident合作研制量子点led

称lrc) 宣布和evident technologies合作研制量子点纳米材料的le

  https://www.alighting.cn/resource/20040627/128406.htm2004/6/27 0:00:00

大功率led效率特性分析与驱动方案设计

本文考察了大功率led 量子效率衰落问题的研究进展并检测和比较了当前市场不同产品的大功率led性能,随着led 效率电流特性的逐渐改善,其最高效率所对应驱动电流开始超过额定电流。

  https://www.alighting.cn/2014/10/23 11:25:52

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

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