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提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(led)外量子效率的几种途径，生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
滑有序，借此来提升发光二极管(led)的量子效率。这项美国专利的申请将挑战目前led芯片厂的制程技
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ucsb）与日本科学技术振兴机构创造科学技术推进事业（jst erato）联合开发出了高外部量子效率的无极性发光二级管（led）和半极性led。
https://www.alighting.cn/resource/20061218/128479.htm2006/12/18 0:00:00
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于led的pn结作为杂质半导体，存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint，这方面经过科技界的不懈努力，已有显着提高，从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
