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为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
《led的光输出效率》运用菲涅耳折射反射公式，首先计算从led芯片出射到封装材料中的配光曲线，以及这一界面的光输出效率;其次计算了封装材料与空气界面的出光效率;并由此得到简单封
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/151520_53.htm2011/6/20 15:15:20
本文详细的介绍了led芯片发光过程中光的萃取以及效率的产生等基本原理，是不错的led外延芯片基础知识，共享于此，希望可以帮助大家学习!
https://www.alighting.cn/resource/20111019/127001.htm2011/10/19 13:47:34
本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好.
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
对目前的红光led来说，拥有更好的提取效率已经不是不可能的事了，这是由于拥有特殊设计的穿透和反射层的原因，该产品已于晶元光电的两条产品在线开发完成。
https://www.alighting.cn/resource/20090722/128991.htm2009/7/22 0:00:00
