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veeco于2010年q2接获台厂华上数台mocvd设备订单

美国设备大厂veeco instruments inc.日前宣布台厂华上于2010年q2向其订购了数台turbodisc k465i氮化鎵(GaN)与e475砷化磷(as/

  https://www.alighting.cn/news/20100720/117794.htm2010/7/20 0:00:00

第三代半导体崛起 中国照明能否弯道超车?

近年,以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目,成为全球半导体研究前沿和热点,中国也不例外地快马加鞭进行部署。

  https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21

116期:硅衬底 中国led产业下一个突破口?

2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓,一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。

  https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22

晶电购入veeco mocvd系统

led磊晶设备大厂veeco宣布台湾led磊晶厂商晶电日前订购数台turbodisc? epik?700 gallium nitride (GaN) mocvd系统,用于led生

  https://www.alighting.cn/news/20160815/142845.htm2016/8/15 9:26:58

诺贝尔物理学奖越来越接近“电子奖”

而本届诺贝尔物理学奖的核心是,开发出了蓝色led使用的氮化镓(GaN)晶体的制作技术。虽然该技术开发出来后对社会的影响极大,但不能说因为可以制作出这种晶体,物理学方面的理论研究就

  https://www.alighting.cn/news/20141015/86800.htm2014/10/15 11:35:22

矽衬底led芯片产业现状探究

体公司研发GaN衬底的led同质外延技术,美国普瑞光电公司、欧司朗osram、韩国三星、日本东芝等众多公司在开发矽衬底GaN基led技

  https://www.alighting.cn/news/20121128/89354.htm2012/11/28 14:08:33

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

GaN、aln、inn及其合金等材,是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素,寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

newled项目旨在开发无磷led结构

欧盟近期资助的一个研究项目,代号为newled,投资1500万美元,将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led,目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。

  https://www.alighting.cn/news/201334/n495549364.htm2013/3/4 15:03:15

日亚化学:515nm激光二极管打破记录

日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板,配合工艺与结构的改良,制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管,打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光器所保持的50

  https://www.alighting.cn/news/2009618/V19997.htm2009/6/18 11:31:23

比利时大功率led新技术 用硅基氮化鎵

比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划,目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-si),并开发高效率、大功率白光led,致力于推动氮化

  https://www.alighting.cn/news/2009721/V20310.htm2009/7/21 11:27:11

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