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日亚化学 (nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板，配合工艺与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光器所保
https://www.alighting.cn/news/20090616/104671.htm2009/6/16 0:00:00
日本led大厂日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板，配合制程与结构的改良，制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管，打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光
https://www.alighting.cn/news/20090616/120385.htm2009/6/16 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现，对于以氮化钾(GaN)为主的led，俄歇复合(auger recombination)是其效率下
https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/news/200961/V19863.htm2009/6/1 9:33:11
strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出，目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长，这将推动类似GaN和aln等先进衬底市
https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00
著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)
https://www.alighting.cn/news/20090324/117058.htm2009/3/24 0:00:00
led和oled将开创照明领域的未来——蓝色led发明人、目前活跃在GaN发光组件研究第一线的中村修二和oled发明人城户淳二出席了讨论，认为应警惕led照明闭门造车。
https://www.alighting.cn/news/2009311/V19020.htm2009/3/11 10:26:59
3月4日，以led和oled将开创照明领域的未来为主题的照明研讨会于在东京的「lighting fair 2009」上召开了。蓝色led发明人、目前活跃在GaN发光组件研究第一
https://www.alighting.cn/news/20090309/105506.htm2009/3/9 0:00:00
高，达到了36％。发光波长为380nm。为了提高发光效率，抑制了GaN结晶的缺陷，提高了平坦
https://www.alighting.cn/news/20090220/118717.htm2009/2/20 0:00:00
日前led上游大厂美国cree表示，该公司已与三菱化学签订独家授权合约。根据双方协议，三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化鎵（GaN）基板，并有权签订类似专利范围的再授权协
https://www.alighting.cn/news/20090120/106630.htm2009/1/20 0:00:00
