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inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7EV左右,而不是先前普遍接受的1.9EV,所以通过调节合金组分可以获得从0
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV、hEV车及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的arkansas power electronics internationa
https://www.alighting.cn/pingce/20111118/122662.htm2011/11/18 17:01:17
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37EV,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0EV).通过xrd测量计算出薄膜11
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
日经新闻5日报导，it、电机大厂为了抢食自动驾驶、电动车(EV)普及所将引发的商机，正积极进行并购，其中日本panasonic将收购欧洲车灯大厂zkw、进军车灯市场。据
https://www.alighting.cn/news/20161206/146572.htm2016/12/6 9:25:37
平。因此照明要求比较复杂。2 照明设计标准根据国际照明委员会（cie）、国际体育联合会、欧洲广播联合会的有关标准，确定以下照明指标。表1 体 操 eh（ix）EV（main）EV（se
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279116.html2012/6/20 9:51:14
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282464.html2012/7/19 10:27:12
0,1060℃的sicge薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31EV处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对sicge薄膜带隙的调
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
谱证实了该zno薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354EV与中性受主束缚激子相关的发射峰
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62EV,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00
