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起了重视，开展了学术研究，提出了一些控制指标，如澳大利亚学者提了对控制光干扰（光污染）的光度参数最大值，包括垂直面照度（EV）、灯具发射强度（i）、限增量（ti）等；又如英国在限
http://blog.alighting.cn/1090/archive/2012/12/23/305202.html2012/12/23 8:37:38
系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示:λ(μm)=1.2396/eg(EV) 发光二极管(led)一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00
-300kw)内含直流电抗器及输出滤波器可降低对电源的污染7300EV :迷你矢量型(110v:0.2-2.2kw 220v:0.2-2.2kw 440v:0.75-2.2k
http://blog.alighting.cn/lili8888/archive/2010/10/6/102051.html2010/10/6 10:04:00
纳米光触媒vk-nt30在建材领域的应用 产品主要成分：纳米二氧化钛、纳米银等金属氧化物 tio2属于一种n型半导体材料，它的禁带宽度为3.2EV (锐钛矿)，当它受到波
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120322.html2010/12/13 10:38:00
流条件下退化的异质结led，发现距导带1.1EV处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm－3上升到4.2×1013cm－3，异质界面陷阱在器件光电特性退化中起着重要的作
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
而解释了器件的光衰减。 w.y.ho等人[16]通过研究直流大电流条件下退化的异质结led，发现距导带1.1EV处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm－3上升到4.2×101
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
d，发现距导带1.1EV处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm－3上升到4.2×1013cm－3，异质界面陷阱在器件光电特性退化中起着重要的作用。g.meneghesso等人用深能
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
定方向的发光面的面积之比。（表示发光面的明亮程度） 照度EV（勒克斯，lx=lm·m-2）：光源照到某一物体表面上的光通量与该表面面积的比值。（表征受照面被照明的程度） 光源效
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/26/230862.html2011/7/26 14:36:00
動自転車に試乗できるに設置し、試乗用の電動自転車をソーラーパワーで充電する。ソーラー?エレクトリック?ビークルは、hit太陽電池とリチウムイオン電池を搭載したフルEVトラック。既存
http://blog.alighting.cn/rghhhju/archive/2009/12/23/22069.html2009/12/23 17:15:00
http://blog.alighting.cn/rghhhju/archive/2009/12/23/22070.html2009/12/23 17:17:00
