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由镓(GA)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GAn主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,GA,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
led 的核心材料是镓(GA)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GAn)和铟氮化稼(inGAn)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GAn类led元件，预计该元件及氧化镓(GA2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le
https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25
f solid state physics)订购一台新thomas swan(aixtron子公司)3x2英寸ccs外延生长反应室(mocvd)，用于铝含量高的GAn/(al,g
https://www.alighting.cn/news/20070404/102236.htm2007/4/4 0:00:00
已量产出货，近来又发表GAia产品，推出led光源近远灯(bibeam)模组GA12-30，号称性能超越现行hid方案(hid:highintensitydischargelam
https://www.alighting.cn/pingce/20160406/138828.htm2016/4/6 10:00:30
b13495-92(iso6309)和消防应急照明灯具通用技术条件GA54-93的部分内容，而gb13495-92又引用了安全色gb2893的标准，这对于理解消防应急标志带来了困难，本
https://www.alighting.cn/resource/2009227/V757.htm2009/2/27 11:48:44
巴黎设计事务所studio ggsv(GAëlle GAbillet + stéphane villard)最近设计了“curiosity object”系列橱窗灯具，这些灯具作
http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/5/8/273926.html2012/5/8 16:12:15
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282600.html2012/7/19 11:04:49
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3GA0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GAn,p型层为0.15μm的mg掺杂GAn。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
