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白光led是要使用的荧光粉有日亚专利的yag和欧司朗专利的tag。 yag主要是y3al5o12:ce以及其变化衍生物(例如在al内加入GA)，yag比较容易做
http://blog.alighting.cn/tyqtyq/archive/2009/5/16/3425.html2009/5/16 18:40:00
4pa、ndl654pb、ndl653gb、ndl653GA壁灯：nnl001、nnl002、nnl003、nnl004通道百货商场属于室内公共活动空间，人流量大，良好的通道照明能
http://blog.alighting.cn/yh/archive/2008/9/18/9073.html2008/9/18 20:55:00
功蓝光发光二极管的中村修二。 中村在进入该公司后一直在开发金属GA、inp、GAas、GAalas等单结晶材料及多结晶材料。为了节约经费,从设备到部件加工的整个过程均由中村一人完
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40239.html2010/4/14 22:49:00
光；二是要求电子和空穴的输运效率高；三是要求电子与空穴复合时放出的能量和所需要的发光波长相对应。因此照明光源研究的主要方向是发光材料及其配伍问题，由ⅲ族的al、GA、in和ⅴ族的n、p
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/6/1/47367.html2010/6/1 23:07:00
中，真正发光的也仅是其中的几百纳米（1微米＝1000纳米）厚的量子阱结构。 反应式： GA(ch3)3 +ph3= GAp+3ch
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
基mqw结构。使用三甲基镓（tmGA）为GA源、三甲基铝（tmai）为al源、三甲基铟（tmin）为in源、氨气（nh3）为n源、硅烷（sih4）和二茂镁（cp2mg）分别用作n型和
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
a)为GA源、三甲基铝(tmai)为al源、三甲基铟(tmin)为in源、氨气(nh3)为n源、硅烷(sih4)和二茂镁(cp2mg)分别用作n型和p型掺杂剂。首先在si(111)
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
子般的漂流。 另一方面正孔也形成polaroon自我束缚状，加上in原子与GA原子的电气阴性度的差，尤其是in原子周围短距离型电位(potential)，有可能产生强
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
℃ 生长的 1.5μm 厚的 n-GAn 层，一个包含 5 个循环的的 in 0.21 GA 0.79 n 2nm /GAn 5nm 多量子井层，一个 0.3μm 厚的 p-GAn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
0a6sn1123-1aa00-0GA0simodrive611-a/d1axis120a6sn1123-1aa00-0ha0simodrive6111axis8a6sn1123-
http://blog.alighting.cn/huixian2010/archive/2011/3/17/143333.html2011/3/17 18:49:00
