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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,GA,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
式： GA(ch3)3 +ph3= GAp+3ch
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
d已经跨足到公众场合的号志应用,此为国内工地外围的交通方向指示灯,即是用hb led所组构成。附注３：alGAinp(磷化铝镓铟)也称为「四元发光材料」,即是以al、GA、in、p四
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
长是在高温下,通过tmGA分解出的GA与nh3的化学反应实现的,其可逆的反应方程式为：GA＋nh3=GAn＋3/2h2生长GAn需要一定的生长温度,且需要一定的nh3分压。人们通常采
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
成polaroon自我束缚状，加上in原子与GA原子的电气阴性度的差，尤其是in原子周围短距离型电位(potential)，有可能产生强大的正孔捕捉。类似上述的电子与正孔的挶限化，会在奈米以
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
镓(GA)铟(in)磷(p)氮(n)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233079.html2011/8/19 23:54:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258521.html2011/12/19 10:58:03
镓(GAas),其正向pn结压降为1.424v，辐射红外光谱，另一种常用的led是磷化镓(GA p)——辐射绿色光谱。下面举例给出几种led的材料及其辐射的光谱。·砷化镓 (GAas)—
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261544.html2012/1/8 21:49:07
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262718.html2012/1/29 0:39:42
