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2 mbembe是直接以GA的分子束作为GA源，以nh 3为n源，在衬底表面反应生成GAn。该方法可以在较低的温度下实现GAn的生长，有可能减少n的挥发，从而降低背景电子浓度。其生长反
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
砷(as)化鎵(GA) ，其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化鎵(GA)，其正向pn结压降为2
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
所使用的材料是砷（as）化镓（GA），其正向pn结压降（vf,可以理解为点亮或工作电压）为1.424v,发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷（p）化镓（GA），其正向p
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233064.html2011/8/19 23:50:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258532.html2011/12/19 10:58:35
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http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
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http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26
