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GaN基低色温高显色白光led

采用440nm短波长inGaN/GaN基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。

  https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55

GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管

ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低,导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近,mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝光

  https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40

如何通过背光驱动提升lcd显示效果?

本文我们一起来探讨如何通过背光驱动来提高lcd的显示效果。

  https://www.alighting.cn/resource/20150106/123794.htm2015/1/6 9:30:29

mocvd生长GaNGaN:mg薄膜的对比研究

对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaNGaN:mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59

降结温提寿命的新型led散热技术方案(上)

从cree公司发布的光衰和结温的关系图(图1)中可以看出,结温假如能够控制在65°c,那么其光衰至70%的寿命可以高达10万小时!这是人们梦寐以求的寿命,可是真的可以实现吗?是的,

  https://www.alighting.cn/2014/12/23 10:27:59

大功率GaN基白光led荧光层失效机理研究

芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。

  https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29

厚度对GaN薄膜的发光性能的影响

研究发现不同厚度GaN 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近,在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。

  https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03

led封装工程师的个人调研总结(四)

本文继续分享led封装工程师的个人调研总结,有兴趣的记得详细看噢!

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123949.htm2014/12/10 11:20:55

inGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

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