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同传统led相比，GaN同质衬底技术能实现更好的显色性能和白光准确度，并具有每晶元流明优势。
https://www.alighting.cn/resource/20141204/123974.htm2014/12/4 11:26:50
本文从材料和封装工艺及结构技术等方面因素来阐述提高led亮度的途径。
https://www.alighting.cn/resource/20141204/123975.htm2014/12/4 11:05:50
通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的投射，耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光le
https://www.alighting.cn/2014/12/2 11:12:13
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型，并对其温度分布进行模拟，比较了再不同凸点分布，不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31
分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加，形成了增强的极化电场屏蔽效应，减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小
https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19
研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结构
https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18
为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断，本样品不灌胶，目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。
https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20
本文对led发热问题就行了分析，强调散热技术对led发展的重要性。
https://www.alighting.cn/resource/20141114/124092.htm2014/11/14 10:58:12
