站内搜索
将GaN基蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led)，对其施加900ma的电流应力，在老化过程中测量白光led的主要光学参数，考察其光学特
https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进行了对
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究，有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢！~
https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38
赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
研究结果表明：采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。
https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率GaN 基蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对蓝光led 进行leebi，并对比未辐照的led，研究其电
https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
