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本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
面电场作用越强,zno纳米片的厚径比越
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
长治高科华上光电有限公司mocvd采购合同签约仪式在长治举行。与德国爱士强、美国维易科公司签订的这项涉及15台mocvd设备的合作协议,不仅让当地得到了世界最先进的高亮度led外
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127993.htm2010/7/12 16:48:15
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/19/165436_92.htm2012/6/19 16:54:36
系(algainp)led外延片及芯片项目,高效三结砷化鎵太阳能电池外延片项目和企业技术研发中心建设项目,预计总投资人民币4.50亿元,其餘将用于其它与主营业务相关的营运资金项
https://www.alighting.cn/resource/20100805/127924.htm2010/8/5 10:12:04
本文通过实验,仔细研究了衬底特性、生长温度和应变补偿层对晶片弯曲的影响。以改善光输出的均匀性。
https://www.alighting.cn/resource/20141110/124115.htm2014/11/10 11:41:33
当高科超薄晶体霓虹发光片的两极间通电后,发光层内就建立了电场,电子在电场的作用下逆电场方向加速运动,当电场强度足够强,运动状态电子数量足够多,速度足够快时,通过碰撞,发光材料电
https://www.alighting.cn/resource/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan2led外
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
应用cosmos软件对led粘片机芯片拾取臂的振动情况进行了分析:通过cos-mosworks软件对该结构进行了模态分析得到该结构的固有频率;通过cosmosmotion软件对
https://www.alighting.cn/resource/20110822/127270.htm2011/8/22 15:26:11
半导体照明光源的质量和led芯片的质量息息相关。进一步提高led的光效(尤其是大功率工作下的光效)、可靠性、寿命是led材料和芯片技术发展的目标。
https://www.alighting.cn/2014/3/12 18:03:00