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底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271716.html2012/4/10 23:24:02
s及其合金等称为第二代电子材料，宽禁带(eg2.3e v)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第三代电子材料，主要包括SiC,zn se、金刚石和gan等。宽禁带半导体材料具有禁带宽
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
0nm的蓝光led的外量子效率可以达到34．9％。 2007年，美国的cree公司，在SiC衬底上生长双异质结，制作的器件同样很出色，SiC衬底可以把gabl基led的金属电极制
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262736.html2012/1/29 0:41:26
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262614.html2012/1/29 0:33:37
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261562.html2012/1/8 21:50:50
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34
