站内搜索
2016阿拉丁照明论坛 “光源器件技术发展与市场化” 技术峰会上，华灿光电股份有限公司副总裁王江波做了主题为“高效GaN基led的研究进展”的精彩演讲。
https://www.alighting.cn/zhanlan/20160610/141024.htm2016/6/10 16:17:39
本文为《标准GaN外延生长流程》以图文结合的方式阐述了GaN基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。
https://www.alighting.cn/resource/20110111/128087.htm2011/1/11 16:29:26
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
2019年11月，国际第三代半导体产业链上、中游各大企业继续发力，上游龙头企业扩产进程加速，大力发展与应用端的合作, 共同推动第三代半导体尤其是新能源汽车领域的发展，同时传统的半
https://www.alighting.cn/news/20191209/165518.htm2019/12/9 11:13:56
采用了有限元方法建立了GaN基倒桩led芯片的三维热学模型，并对其温度分布进行模拟，比较了再不同凸点分布，不同粘结层材料与厚度、不同蓝宝石衬底厚度及蓝宝石图形化下的倒装芯片温度分
https://www.alighting.cn/resource/20141126/124009.htm2014/11/26 15:05:31
为了降低si衬底GaN基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
近日，依托南昌大学、晶能光电的国家硅基半导体照明工程技术研究中心获科技部批准组建。该中心组建期为3年，将获得国家拨款1400万元。至此，江西省国家工程技术研究中心增至5家。
https://www.alighting.cn/news/20110331/100815.htm2011/3/31 9:22:45
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
高功率led封装厂台湾半导体照明公司(tslc)2013年12月30日举行新厂落成仪式，tslc传承前身高功率led封装厂采钰的晶圆级led硅基及氮化铝封装技术，让led封装元
https://www.alighting.cn/news/20140109/111360.htm2014/1/9 9:44:12
