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led行业:政府补贴叫停趋势明显,芯片产能恐过剩

随着扬州市政府将于2011年7月暂停对新增MOCVD设备的核准, 传闻广东江门MOCVD机台补助额度也即将用完,其他地方政府仍处观望状态,预计国内 movcd的采购高潮将会在上半

  https://www.alighting.cn/resource/20110513/127617.htm2011/5/13 16:01:01

中国的led 产能何时成为世界第一?

最新调研调查了各led 企业截至2012 年第四季度的MOCVD 采购计划,下调了2011 机台数至870 台,如图1 所示,降低了20%,led 厂商推后2011 年计划好的安

  https://www.alighting.cn/2011/12/5 12:23:13

生产型ganMOCVD设备控制系统软件设计

对“用于gan的生产型MOCVD”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型ganMOCVD设备控制系统的特点;分析了MOCVD设备控制技术的发展趋势。

  https://www.alighting.cn/resource/20130814/125402.htm2013/8/14 11:46:44

三安光电-深度报告(1)

截止2014 年中报,公司共拥有led 外延片核心设备MOCVD 170 台,三安光电led 芯片产能居全国首位,龙头地位显现,未来将充分受益行业的快速增长。

  https://www.alighting.cn/resource/20141229/123835.htm2014/12/29 15:16:45

通过倒易空间扫描表征pin-algan外延材料

本文提出利用hrxrd 倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对algan 材料的MOCVD 外延生长具有重要的指导意义。

  https://www.alighting.cn/2014/12/3 11:50:29

生长温度对ingan/gan多量子阱led光学特性的影响

利用低压MOCVD系统,在蓝宝石衬底上外延生长了ingan/gan多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层ingan/gan多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特

  https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08

提高应变弛豫与非极化/半极化gan技术

应用多项高端纳米技术改善MOCVD生长在蓝宝石衬底上gan的晶体特性和光学性能,并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。

  https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30

高性能背照式gan/algan p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝

  https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13

人工欧泊填充inp后的形貌和反射谱特性

制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了MOCVD生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显

  https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41

过渡层对ge衬底gaas外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

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