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外延MOCVD基本原理及led各层结构

来自维易科公司的关于《外延MOCVD基本原理及led各层结构》的技术资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/5 11:54:13

MOCVD片式红外辐射系统调节曲线的仿真与分析

以片式红外加热的MOCVD反应室为研究对象,应用二位数学模型进行了有限元分析和计算,具体研究了加热器调节的依据——调节曲线的峰值变化情况。通过计算表明,片式加热器加热系统在石墨

  https://www.alighting.cn/2013/1/7 15:49:11

MOCVD方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

采用常压MOCVD方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

应用自动数据分析软件可提高led制造中MOCVD外延工艺的良率

led厂商都在期待led能在普通照明领域应用上产生新一轮的市场需求,而led在这一领域的增长将高度依赖于能否进一步降低其每流明发光的成本。由于对新增MOCVD生产能力的需求预期增

  https://www.alighting.cn/resource/20150121/123715.htm2015/1/21 11:13:33

应用自动数据分析软件可提高led制造中MOCVD外延工艺的良率

在2010-2011年,主要受到电视/电脑平板显示器背光板需求的驱动,led制造商在其生产设备上投入了巨资。由于目前这一需求驱动趋势已经放缓,使得有机金属化学气相沉积(mocv

  https://www.alighting.cn/2014/12/26 14:02:08

缓冲层生长压力对MOCVD gan性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

MOCVD反应器中瞬态热流场的数值研究

MOCVD 反应器中外延异质结构的材料时,用来生长晶体的各组份和掺杂剂,都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量,在衬底上外延出特定组份、特

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55

采用MOCVD方法在gaas衬底上生长zno(002)和zno(100)薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54

采用MOCVD方法在gaas衬底上生长zno和zno薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

MOCVD外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

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