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MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代MOCVD 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
对在sic衬底上采用MOCVD方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
对在sic衬底上采用MOCVD方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
通过世界专利索引数据库(dwpi)对MOCVD设备专利进行全面检索，然后进行人工标引，剔除不相关专利，经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选，对aixtron的喷淋头结构技
https://www.alighting.cn/2014/1/8 10:30:41
MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)是生长高质量半导体薄膜材料的技术，在led、半导体激光器、太阳能电池等多个领域都有应
https://www.alighting.cn/resource/20130308/125923.htm2013/3/8 12:02:56
本文采用MOCVD法在c-al2o3 衬底上生长本征zno和cu掺杂zno薄膜，利用cu(tmhd)为cucu?掺杂源，通过控制cu源温度(tcu)来控制cu掺杂条件，并利用x射
https://www.alighting.cn/2014/12/17 11:43:13
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯MOCVD外延生长技术》的讲义资料，分享了衬底材料的选择，以及外延技术的发展趋势等内容，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01
讨论了采用MOCVD在al2 o3衬底上生长gan过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
