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利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
高亮度led的主要用途包括车灯、信号灯以及背光显示等。虽然高亮度led的成本较高，但其优越性使led应用还是可以接受。高亮度发led也具有用于普通照明的潜力。为使高亮度led的成本
https://www.alighting.cn/resource/20100104/129011.htm2010/1/4 0:00:00
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
由于新应用范围激发的驱动, led 技术快速地进步。用于笔记本电脑、桌上型电脑显示器和大屏幕电视的背光装置是当今高亮度led的关键应用,为将要制造的大量led创造需求。除了数量方面
https://www.alighting.cn/resource/20091119/128753.htm2009/11/19 0:00:00
xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高gan样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
高亮度 led 制造如今是否应该更加重视工艺控制？如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验？
https://www.alighting.cn/2014/3/13 11:33:06
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的lpe(液相
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128309.htm2010/8/17 17:35:44
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术
https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术主
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
