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50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 p 型半导体和 N 型半导体组成的晶

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℃～960℃）1miN后，以规定压力（1.0N）垂直灼烫试品30s，视试品和铺垫物是否起燃或持燃时间来测定电工电子设备成品的着火危险性；测定固体绝缘材料及其它固体可燃材料的起燃性、起燃温

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