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型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
i, spaiN 合作者：marta porroy 项目总监及施工管理：lks, hoz foNtáN arquitectos 摄影：josé hevia 这
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275417.html2012/5/20 20:47:17
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275421.html2012/5/20 20:47:29
led 是light emittiNg diode (发光二极管)的缩写，是一种由半导体技术制成的电光源。led的核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15
0年代中期，首先出现了商用化的红色发光二极管。发光二极管的结构主要由pN结芯片、电极和光学系统组成。当在电极上加上正向偏压之后，使电子和空穴分别注入p区和N区，当非平衡少数载流子与多
http://blog.alighting.cn/sjgd198/archive/2012/8/5/284258.html2012/8/5 17:40:06
