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2-18wled电源 12-18w ka5l0365rN/ka5m0365rN 主要应用于24wled电源 25w sg6859 + 2N60/4N60 主要应用于日光灯等外置
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109125.html2010/10/20 15:57:00
型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
m，精度至少为0.01Nm。（保持插座本身在垂直平面上的力矩不包括在测试值内）能在插脚的纵线方向给每个插脚施加50N的拉力1miN。能通过位移传感器a测试插脚的位移。能对每个插
http://blog.alighting.cn/fangjungoing/archive/2010/11/29/117381.html2010/11/29 17:46:00
向空气时，根据折射定律，临界角θ0=siN-1（N2/N1） 其中N2等于1，即空气的折射率，N1是gaN的折射率，由此计算得到临界角θ0约为25.8度。在这种情况下，能射
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
0Nm的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀p型层，露出多量子阱N型有源区；第三步，沉积、刻蚀形成N型欧姆接触区。芯片尺寸为1mmxlmm，p型欧姆接触区为正方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
造流程是：首先在外延片顶部的p型gaN上淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
N上淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1mm×1mm，p型欧
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
础上改进的pfm/pwm控制技术,是pfm与pwm有机结合的控制方式(不是pfm与pwm的切换),是以输入电压确定N开关管开启时间,输出电压与输入电压差确定同步管开启时间,而不像pw
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229870.html2011/7/17 22:49:00
