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层，露出多量子阱N型有源区；第三步，沉积、刻蚀形成N型欧姆接触区。芯片尺寸为1mmxlmm，p型欧姆接触区为正方形，N型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
有的注意及要领。手机、数码相机（1.2∼2.5）
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232680.html2011/8/18 1:40:00
i, spaiN 合作者：marta porroy 项目总监及施工管理：lks, hoz foNtáN arquitectos 摄影：josé hevia 这
http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/232940.html2011/8/19 19:01:00
http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/232942.html2011/8/19 19:03:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，中间通常是1至5
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246736.html2011/10/20 17:15:59
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246740.html2011/10/20 17:16:09
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31
型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50
