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西班牙 蒙德拉贡大学商学院

i, spaiN  合作者:marta porroy  项目总监及施工管理:lks, hoz foNN arquitectos  摄影:josé hevia   这

  http://blog.alighting.cn/miamia/archive/2011/8/19/232942.html2011/8/19 19:03:00

led概述

极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成,一部分是p型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子,中间通常是1至5

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00

西班牙 蒙德拉贡大学商学院

i, spaiN  合作者:marta porroy  项目总监及施工管理:lks, hoz foNN arquitectos  摄影:josé hevia   这

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246736.html2011/10/20 17:15:59

西班牙 蒙德拉贡大学商学院

i, spaiN  合作者:marta porroy  项目总监及施工管理:lks, hoz foNN arquitectos  摄影:josé hevia   这

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246740.html2011/10/20 17:16:09

led概述

极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成,一部分是p型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子,中间通常是1至5

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258517.html2011/12/19 10:57:31

大功率led封装以及散热技术

型gaN:mg淀积厚度大于500a的Niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出N型层;第三步,淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率led封装以及散热技术

型gaN:mg淀积厚度大于500a的Niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出N型层;第三步,淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

led概述

极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成,一部分是p型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子,中间通常是1至5

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35

大功率led封装以及散热技术

型gaN:mg淀积厚度大于500a的Niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出N型层;第三步,淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

led概述

极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由三部分组成,一部分是p型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子,中间通常是1至5

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56

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