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型gaN：mg淀积厚度大于500a的Niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出N型层；第三步，淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
i, spaiN 合作者：marta porroy 项目总监及施工管理：lks, hoz foNtáN arquitectos 摄影：josé hevia 这
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275417.html2012/5/20 20:47:17
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275421.html2012/5/20 20:47:29
led 是light emittiNg diode (发光二极管)的缩写，是一种由半导体技术制成的电光源。led的核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片，在p型半导体和N
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/7/11/281426.html2012/7/11 14:28:49
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15
0年代中期，首先出现了商用化的红色发光二极管。发光二极管的结构主要由pN结芯片、电极和光学系统组成。当在电极上加上正向偏压之后，使电子和空穴分别注入p区和N区，当非平衡少数载流子与多
http://blog.alighting.cn/sjgd198/archive/2012/8/5/284258.html2012/8/5 17:40:06
50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识 发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。 发光二极管的核心部分是由 p 型半导体和 N 型半导体组成的晶
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/10/17/293375.html2012/10/17 11:14:18
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293848.html2012/10/19 22:31:19
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293935.html2012/10/19 22:34:58
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