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氧化铝及硅led集成封装基板材料的热阻比较分析

基板的选择中,氧化铝(AL2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料,其中氧化铝基板因是绝缘体,必须有传导热设计,藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体,但绝缘性不

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16

大功率led陶瓷封装技术研究

本文通过使用a1n和AL203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板,主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系,并和铝基覆铜板作

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47

sr2+对白光led用荧光粉yag∶ce3+的增红研究

采用共沉淀法合成y2.78-xsrxgd0.1AL5o12∶0.06ce3+系列荧光粉,用x射线衍射仪、荧光分光光度计对粉体晶型、发光性能进行表征。采用hsp-6000光谱分析

  https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:43:03

大功率led封装技术研究

本文介绍了大功率led封装结构和散热封装材料技术的发展状况,重点对几种陶瓷封装基板进行了研究,采用ALn和AL2o3这两种陶瓷基板作为封装基板,对其热阻进行试验测量,且研究了基

  https://www.alighting.cn/resource/20130311/125920.htm2013/3/11 10:11:24

gan氮化镓(gALlium nitride)

铝(AL)调整带隙,所获得的led和蓝紫色半导体激光器等发光元件已经实用

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

led蓝宝石基板介绍

蓝宝石的组成为氧化铝(AL2o3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有a-plane,c-plane及r-plane.由

  https://www.alighting.cn/2011/9/22 15:43:12

利用三步法mocvd生长器件质量的gan

在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长gan材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的ALn层来减少AL

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,AL,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

【led术语】gan(gALlium nitride)

铝(AL)调整带隙,所获得的led和蓝紫色半导体激光器等发光元件已经实用

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,AL,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

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