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宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备GaN基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高GaN 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
GaN、aln、inn及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
国际半导体照明联盟(isa)在广州举行年度成员大会，并正式发布了“全球半导体照明2012年度新闻”评选结果。晶能光电作为“全球首家量产硅基大功率led芯片的公司”成功入选了“全
https://www.alighting.cn/news/20121105/113019.htm2012/11/5 11:49:36
安森美半导体(on semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-si)功率器件。
https://www.alighting.cn/news/20121010/113599.htm2012/10/10 11:35:07
由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破，在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。
https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00
随着发光材料与发光技术的不断革新，半导体技术在照明领域掀起了一场新的革命——半导体照明。半导体(led)照明产品，尤其是氮化镓基（GaN）白光led照明光源体积小、重量轻、方向性
https://www.alighting.cn/resource/20081119/128630.htm2008/11/19 0:00:00
韩国高丽大学材料科学与工程系主任tae yeon seong 教授在题为《通过增强电流注入和传输来提高GaN基发光二极管性能》的报告中首先概括总结GaN基led的应用，然后详细介
https://www.alighting.cn/news/20080801/104244.htm2008/8/1 0:00:00
