站内搜索
对哥哥们的敬仰之情！力拔山兮气盖世，时不利兮骓不逝…”“好诗啊，真是好诗，五哥好文采，五哥真N，准确的说是Nb！”老六拍着桌子大声说。现场的气氛被老六顿时给带动起来了，纷纷敬酒，纷
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/20/128188.html2011/1/20 14:23:00
极数？答：（1）根据《建筑物防雷设计规范》gb50057-94（2000年版）第6.4.5条中的图6.4.5-2之注：“当采用tN-c-s或tN-s系统时，在N与pe线连接处电涌保
http://blog.alighting.cn/quhua777847/archive/2011/1/18/127917.html2011/1/18 7:34:00
动的发展和演化进程中一直起着重要作用，荣·弗莱彻(r0N f]etcher)直接向约瑟夫拜师学艺，他和罗雷尔·爱斯阔维斯(raeisak)至今活跃在普拉提教学界中。 盲点二：普拉提是
http://blog.alighting.cn/wenglingjuan/archive/2011/1/17/127746.html2011/1/17 10:54:00
d，被称为二元素发光管。而目前最新的制程是用混合铝(al)、钙(ca) 、铟(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料制造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
技部项目验收。 si衬底led芯片制造 1.1技术路线 在si衬底上生长gaN，制作led蓝光芯片。 工艺流程：在si衬底上生长alN缓冲层→生长N型gaN
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
led是一种场致发光光源，其发光原理是在p-N结两端加上正向电压，则p区中空穴会流向N区。而N区中的电子会流向p区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量，其中一部分能量转化为
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
o3和si3N4,或复合缓冲层；如alN/3c-sic,alN/gaN/alN等等。alN缓冲层是目前较为普遍使用的缓冲层技术之一。liaw等人报道了采用转化的 sic膜加氮化铝复
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
片的透明电极(ito、ruo2、zNo及Nio)表面做成光子晶体结构，其方法为：首先在倒装焊芯片的透明电极表面贴一层保护膜层，如光刻胶pr， 二氧化硅sio2，氮化硅 si3N4
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究，这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上，通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42
