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性，温度系数小 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 5）名称：高频瓷介电容（cc） 符号： 电容量：1--6800P 额定电压：63--500v 主要特点：高频损耗小，稳定性
http://blog.alighting.cn/jananle/archive/2008/12/12/9450.html2008/12/12 13:25:00
0kva-8 e217078anh4agtr800kva-8 r217595aa300702 订货号： 产品型号：nh000am69v2 P227851cnh000am69v4
http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2010/7/30/61247.html2010/7/30 9:06:00
c） 电容量：1--6800P 额定电压：63--500v 主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路 6）名称：低频瓷介电容（ct） 电容量：10P--4。7u 额定电压：5
http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111466.html2010/11/2 11:51:00
m29f040型flashmemory(512 kb)，它存储容量大、集成度高、成本低，具有灵活的读写性和较好的数据非易失性。它有15条地址线，其中低8位地址由P0口经74hc373
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/19/179646.html2011/5/19 0:30:00
核（可达25 miPs）。该mcu具有P0~P7共64个通用i/o端口，每个端口引脚都可以被配置为推挽输出或漏级开路输出。对于vgs12864e，由于其工作电压是5 v，而c8051
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179863.html2011/5/20 0:29:00
端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00
性比较。2.3gan的电学特性gan的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的gan在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
.7~3.3 v，全部i/o、rst、jtag引脚均耐5 v电压；有高速、流水线结构的8051兼容的ciP51内核（可达25 miPs）。该mcu具有P0~P7共64个通用i/o端
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230345.html2011/7/20 0:19:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/zsoygs/archive/2011/8/30/234250.html2011/8/30 9:28:00
3倍以上，预计达到20亿的市场增量。 康佳视讯总经理周剑宏表示，当前业内P3以下都可以称之为小间距。他认为今年P3、P2.5应该卖得不错，但再往下走就是概念性产品了，量产很难，主
http://blog.alighting.cn/153873/archive/2014/1/18/347318.html2014/1/18 20:42:10
