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安特征，即正导游通、反向停止、击穿特征。当P型半导体和n型半导体分离时，因为接壤面处存在的载流子浓度差。于是电子和空穴都市从高浓度地区向低浓度地区分散。如许，P区一侧得到空穴剩下不
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定势垒，当加正向偏置电压时势垒下降，P区和n区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带
http://blog.alighting.cn/cnjjzm/archive/2013/8/13/323335.html2013/8/13 9:33:00
