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电子束辐照对GaNled发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对GaN发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaNled外延片进

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

GaN led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

各国及地区半导照明计划发展综述

由于半导照明产业潜藏着巨大的经济和社会效益,许多国家和地区纷纷制定了发展计划,例如美国“国家半导照明研究计划”、日本“21世纪光计划”、韩国“GaN半导开发计划”、欧盟“彩

  https://www.alighting.cn/news/20070803/101061.htm2007/8/3 0:00:00

2008宽禁带半导暑期学校圆满结束

2008年7月31日至8月6日,由国家半导照明工程研发及产业联盟、北京大学及国家自然科学金委共同主办的“2008宽禁带半导物理与器件暑期学校”在美丽的海滨城市—大连举行。

  https://www.alighting.cn/news/20080825/105086.htm2008/8/25 0:00:00

意法半导和ibm合作开发半导

日前,意法半导和ibm签署了一项技术合作协议,双方将合作开发半导下一代制造工艺,共同进行32纳米、22

  https://www.alighting.cn/news/2007828/V2610.htm2007/8/28 11:05:31

powdec 发表了利用GaN半导新二极管sbd

近日,从事GaN外延板开发及销售等业务的风险企业powdec,公开开发表了利用GaN半导的肖特势垒二极管(sbd),预估2012年前量产。

  https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47

光鋐再订两台ccs mocvd生产GaN led

2007年5月24日,台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单,用于量产高亮(hb)ga

  https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00

全球半导增长态势分析

尽管ic销售额连续达到创记录的数据,但是下半年可能步入另增长态势,这是sia对于未来半导业作了最新研究后的看法。

  https://www.alighting.cn/news/201085/V24619.htm2010/8/5 10:11:18

提高GaN发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高GaNled外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db

  https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35

印度半导政策出炉 进军全球半导领域

到2015年,印度半导产值可达3,600亿美元,届时半导产业将成为印度全国从业人数最多的产业之一。

  https://www.alighting.cn/news/200757/V2405.htm2007/5/7 14:36:44

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