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底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 ⑤ algainn碳化硅（SiC）背面出光法。美国cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造algain
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
良问题。 c)点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光le
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222023.html2011/6/19 22:43:00
品；SiC国际咖啡秀；地方食品。目前已经发展成为是世界上最专业的酒店业贸易展览会之一。专业出国参（观）展组织机构——上 海 萬 軒 展 覽 服 務 有 限 公 司shangha
http://blog.alighting.cn/wanxuan008/archive/2011/6/19/221976.html2011/6/19 17:49:00
http://blog.alighting.cn/wanxuan008/archive/2011/6/9/198841.html2011/6/9 18:09:00
等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。 （对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179904.html2011/5/20 0:44:00
断研发产生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicande
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
形，n型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用SiC衬底制造a
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
m。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
