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如今，SiC、蓝宝石、硅这三种不同的衬底技术路线，哪种在成本和性能上更具优势？如果越来越多的公司开始量产硅衬底，是否会对SiC与蓝宝石这两种技术路线形成冲击?不同的技术路线，国
https://www.alighting.cn/news/20120516/89190.htm2012/5/16 9:49:09
天富热电(600509)业务可分为稳定增长、扎根新疆的主营业务和技术含量高、发展空间大的投资业务。
https://www.alighting.cn/news/20120425/113851.htm2012/4/25 10:32:24
采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
与SiC和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
d公司利用技术上的领先优势，在国际竞争中占有垄断性的地位；例如，cree公司掌握着led衬底两大主流技术之一——SiC与kan衬底，在全球led产业中占有7％的市场份额。 1.
http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272310.html2012/4/17 17:14:03
e led一样，此次新产品借助于sc3技术平台的强力支持。sc3技术平台是采用cree自家的碳化矽(SiC)技术，在led芯片结构及萤光粉技术上表现出优异的特性，同时采用了最新封装技
https://www.alighting.cn/pingce/20120411/122609.htm2012/4/11 9:35:02
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271806.html2012/4/10 23:37:11
底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271716.html2012/4/10 23:24:02
日本知名半导体制造商罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块(额定1200v/100a)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(silicon carbide：碳化
https://www.alighting.cn/pingce/20120323/122874.htm2012/3/23 16:07:24
