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6)稳定性导热性成本esd(抗静电)碳化硅(SiC)490-1.4良好高好蓝宝石(al2o3)461.9一般差为SiC的1/10一般硅(si)1505~20良好为蓝宝石的1/1
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13
美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
得这项业界领先的研发成果的关键。sc³技术平台采用科锐业界领先的碳化硅（SiC）技术，在led芯片结构及荧光粉技术上表现出卓越的特性。 科锐照明研发副总裁nick medendor
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/3/284019.html2012/8/3 9:33:18
新1000系采用了削减耗电量的技术。其中具代表性的是前部标识灯(前灯)和车厢灯采用的led照明。东京metro称，地铁前灯采用led“尚属首次”。
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122144.htm2012/7/11 13:46:44
e anodizing of aluminum)正被有意识前沿的路灯制造企业所认识和接受。它是在铝制反光器阳极氧化过程中加入亚纳米级的细微粉末SiC或ral2o3，从而使氧化膜孔隙率下降，成
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279106.html2012/6/20 9:45:29
1,cree著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/18/278893.html2012/6/18 9:44:56
罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代SiC(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
迪思科高科技把在硅晶片单片化及低介电率(low-k)膜开槽工艺中培育起来的激光切割技术经验用到了led上，在高亮度led用晶片的激光切割设备市场上获得了较高的份额。
https://www.alighting.cn/news/20120601/113445.htm2012/6/1 11:13:18
今年，随着硅衬底技术的不断发展，SiC、蓝宝石、硅这三种不同的led芯片衬底技术路线早已摆开阵势，以高技术含量与低成本为噱头，展开激烈交锋。在这场技术大战中，谁会成为赢家，最终主
https://www.alighting.cn/news/20120521/89252.htm2012/5/21 13:36:20
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45
