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2012年几大热点应用逐渐浮出水面，它们是智能手机、平板电脑、轨道交通、新能源、混合动力汽车、led照明、便携医疗电子产品等，这也带动了几类元器件的走热，这里汇集半导体厂商的分析，
https://www.alighting.cn/news/20120319/89421.htm2012/3/19 11:18:50
s及其合金等称为第二代电子材料，宽禁带(eg2.3e v)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第三代电子材料，主要包括SiC,zn se、金刚石和gan等。宽禁带半导体材料具有禁带宽
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
东莞市将对2010年度市重大科技专项《纯电动汽车集成开发关键技术研究及应用》、《电动汽车动力电池关键技术研发与产业化》、《第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化》、《半导体照明产品
https://www.alighting.cn/news/20120305/109591.htm2012/3/5 10:18:21
工业和信息化部在其网站发布了《新材料产业“十二五”发展规划》(以下简称《规划》)。《规划》对新材料产业的发展现状和趋势、总体思路、未来发展重点、区域如何布局、“十二五”期间组织实施
https://www.alighting.cn/news/20120228/109426.htm2012/2/28 18:46:39
本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上，中国led 照明产业产品线布局完善，在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si
https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31
瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件，它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功
https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用SiC制功率元件，
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
0nm的蓝光led的外量子效率可以达到34．9％。 2007年，美国的cree公司，在SiC衬底上生长双异质结，制作的器件同样很出色，SiC衬底可以把gabl基led的金属电极制
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262736.html2012/1/29 0:41:26
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54
