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x100 mm(4英寸)及未来的6x150 mm(6英寸)SiC晶
https://www.alighting.cn/news/20071116/116980.htm2007/11/16 0:00:00
gt advanced technologies于7月8日推出其新型SiClone(tm) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品
https://www.alighting.cn/news/20130709/112135.htm2013/7/9 12:02:46
继美国cree之后的第二大SiC底板厂商何时出现?这是SiC半导体市场形成的关键”——众多SiC半导体的组件技术人员都这么认为。因为只要cree独霸市场的状态持续，底板价格就很
https://www.alighting.cn/news/20071024/120265.htm2007/10/24 0:00:00
山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平。
https://www.alighting.cn/news/2007516/V5083.htm2007/5/16 16:06:33
9月23日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – 作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。
https://www.alighting.cn/news/20190924/164226.htm2019/9/24 13:33:07
科锐（nasdaq: cree）宣布c2m系列1200v / 80m? SiC mosfet被日本sanix公司采用，应用在其新型9.9kw三相太阳能逆变器的设计之中，以用于日
https://www.alighting.cn/news/20140929/110574.htm2014/9/29 9:54:28
2007年10月15日，cree宣布推出零微管(zmptm)100mm(4英寸)、n型SiC衬底，凭借这一成果，cree加强了其在全球SiC基半导体材料市场领先制造商的地位。si
https://www.alighting.cn/news/20071016/121232.htm2007/10/16 0:00:00
2014年10月28日，科锐(nasdaq: cree)宣布继续扩展其屡获殊荣的SiC 1.2kv六单元(six-pack)功率模块系列，推出新型20a全SiC模块，作为5-1
https://www.alighting.cn/news/20141028/110520.htm2014/10/28 9:27:52
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的SiC衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
全球知名半导体制造商rohm开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源pfc电路1的、第3代SiC肖特基势垒二极管“scs3系列”。
https://www.alighting.cn/news/20160510/140113.htm2016/5/10 14:39:35
