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外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC，si)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21193.htm2009/10/14 20:44:55
led芯片大厂美国cree公司在14-15日在日经电子和日经微器件共同举办的led技术研讨会2007上，介绍了在SiC底板上形成的蓝色led的开发状况，并展示了开发中的蓝色le
https://www.alighting.cn/news/20070620/105925.htm2007/6/20 0:00:00
美国cree公司在2007年6月14～15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“led技术研讨会2007”上，介绍了SiC底板上形成的蓝色led的开发状况。
https://www.alighting.cn/news/20070620/121161.htm2007/6/20 0:00:00
近年，以氮化镓(gan)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
制作led芯片，衬底的选用是首要问题。蓝宝石(al2o3)，碳化硅(SiC)，硅(si)为目前最常用的三种衬底材料，三者呈鼎足之势。
https://www.alighting.cn/news/20160108/136210.htm2016/1/8 13:54:53
全球碳化硅（SiC）半导体领先企业科锐（cree, inc.，美国纳斯达克上市代码：cree）与德国采埃孚（zf friedrichshafen ag）宣布达成战略合作，开发业
https://www.alighting.cn/news/20191106/164910.htm2019/11/6 10:25:29
碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二极
https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
由于中国起步较晚，而欧美和日本等国在led全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始，并且在以蓝宝石和SiC衬底上生长gan基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成，所以说总
https://www.alighting.cn/news/20121130/n980646374.htm2012/11/30 11:58:42
在led行业中，我国自主创新的硅衬底led技术被誉为继碳化硅(SiC)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线，其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒，拥
https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20
