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近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（gan）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（SiC）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/news/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
据ibm的研究人员发现石墨烯材料能大幅降低采用氮化镓(gan)制造的蓝光led成本。跟昂贵的SiC或蓝宝石晶圆片、且只能单次使用以长出gan薄膜的传统方式相比，这种新方法的成本效
https://www.alighting.cn/news/20141202/86567.htm2014/12/2 9:37:18
今年，随着硅衬底技术的不断发展，SiC、蓝宝石、硅这三种不同的led芯片衬底技术路线早已摆开阵势，以高技术含量与低成本为噱头，展开激烈交锋。在这场技术大战中，谁会成为赢家，最终主
https://www.alighting.cn/news/20120521/89252.htm2012/5/21 13:36:20
2006年8月22日，虽然基于 gan 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、SiC 和gaas衬底)已取得重大进步，但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代，导致了照明
https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00
cree，semisouth 和crystal is三家化合物半导体公司从美国商务部争取到七百余万美元的项目资金，准备启动汽车用SiC功率模块﹑固体照明用高亮度led和aln衬
https://www.alighting.cn/news/20041206/103373.htm2004/12/6 0:00:00
科锐公司 (cree, inc) (nasdaq: cree)宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率mosfet，是能够使系统实现高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解决方案。这
https://www.alighting.cn/news/20130318/113157.htm2013/3/18 15:17:09
科锐(cree)公司其市场优势来源于其独有的采用SiC(碳化硅)衬底生长gan(氮化镓)技术，科锐的led芯片产品在高端市场上具有很强的竞争力。其高技术水平(高发光效率)引领行
https://www.alighting.cn/news/20100603/120646.htm2010/6/3 0:00:00
r device)关键材料最新研发成果，依功率元件的应用功率，分别展出矽(si)、氮化镓(gan)及碳化矽(SiC)产
https://www.alighting.cn/news/20160406/138825.htm2016/4/6 9:55:18
以氮化镓(gan)、碳化硅(SiC)等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、耐高压、抗辐射能力强等优越性能，是支撑半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联
https://www.alighting.cn/news/20190531/162047.htm2019/5/31 11:41:40
