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研究了利用荧光颜料和InGaN蓝光芯片制成掺杂led,根据光转换原理,得到白光led的可能。文章首先对比了普通方法和二次点胶法封装的led,表明二次点胶法工艺复杂,封装的led亮
https://www.alighting.cn/resource/20130402/125779.htm2013/4/2 16:10:14
固体白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源。要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术,把InGaN半导体管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外
https://www.alighting.cn/resource/20130327/125807.htm2013/3/27 14:05:59
分蓝光光子则量子下转换为黄光，所以白光led 光源输出蓝、黄光混合的准白
https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/164753_30.htm2013/3/20 16:47:53
https://www.alighting.cn/resource/20130308/125928.htm2013/3/8 11:19:09
简述了led的发展历史，讨论了国际上最新研究出的gan基led的结构和工作原理，以及为改善gan基led性能而采取的一些手段，同时也对这些方法的优缺点进行了分析，对led的老化机制
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流经过，电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子。
https://www.alighting.cn/resource/20130217/126063.htm2013/2/17 13:54:15
本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好.
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23
zno既是半导体材料又是压电材料，在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质，使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对zno nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49
室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应，这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45
