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pss最近受到热捧,pps的衬底可以有效减少gan外延材料的位元错密度,从而减小有源区的非辐射复合,提升内量子效率,减小反向漏电流,提高led的寿命;另一方面有源区发出的光,
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
以edta 为络合剂、采用溶股-凝肢法制缝了yv04 :eu3 + 荧光粉,并制备了发光二极管(led) 。
https://www.alighting.cn/2013/1/17 16:17:32
提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(led)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
本文主要阐述了algainp led和gan led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状,介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法,如芯片塑形、表面粗化
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22
色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(dbr)结构、激
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
明,在20ma注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80
https://www.alighting.cn/2012/11/20 16:28:27
提高内量子效率要从led的制造材料、pn结外延生长工艺以及led发光层的出光方式上加以研究才可能提高led的nint,这方面经过科技界的不懈努力,已有显着提高,从早期的百分之几
https://www.alighting.cn/2012/11/16 10:46:27
本文将讨论急需解决的主要技术问题,归结为“三高一低”,即高光效、高显色性、高可靠和低成本的技术问题,实现低成本其实质上也是技术问题。解决这四大技术问题,需要在半导体照明产业链各个环
https://www.alighting.cn/resource/20120813/126467.htm2012/8/13 17:25:44
度有序的量子点结
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:52:41
基led外延片(其主要结构包括:n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30