站内搜索
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led 的发展，本文主要介绍了提高gan 基led 外量子效率途径的最新进展，包括芯片非极性面/半极性面生长技术，分布布拉格反射
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
通过本报告的分析，可以看出中村修二先生在蓝光led、半导体照明及其他氮化物半导体材料器件上引领着技术的发展方向，做出了一系列关键性的贡献，被誉为“蓝光之父”。因此，掌握中村修二教授
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:03:09
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
一份由深圳市量子光电子有限公司的裴小明/技术总监所整理主讲的关于《半导体照明led封装技术与可靠性》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130417/125708.htm2013/4/17 14:54:21
通过对高功率InGaN(蓝)led倒装芯片结构+yag荧光粉构成白光led的分析,可以得出这种结构能提高发光效率和散热效果的结论。通过对白光led的构成和电流/温度/光通量的分
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
面金属反射镜与量子阱层的间距对led出光效率的影响,并采用f-p干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
以红色led材料algainp,绿色和蓝色led材料InGaN三芯合一的全彩led为研究对象,通过大量实验及所测数据,研究用高密高位led作场序彩色液晶显示器背光源,在不同情况
https://www.alighting.cn/2013/4/3 10:13:43
