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插入电荷控制层对蓝色oled发光性能的提高

通常的量子阱结构是由势垒层和势阱层构成。势垒层一般具有较高的lumo 能级以及较低的homo能级, 载流子经过势垒层后会被限制在势阱层中,从而使载流子在势阱层(即发光层) 中有效

  https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:28:54

gan垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管

ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低,导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近,mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝光

  https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40

背光增强量子点技术使液晶oled 之战增添变数

ces 2015 展会期间,三星发表的tv 新品suhd tv js 系列,强调更鲜明的对比度及饱和度的广色域新品,其中qd vision 等材料公司提供的量子

  https://www.alighting.cn/2015/1/12 15:27:48

用于红蓝光led的荧光材料的热光衰性能

研究了具有高发光量子效率的荧光材料的光强随温度的变化关系。

  https://www.alighting.cn/2015/1/9 13:32:01

提高led外量子效率的研究进展

文章简述了提高外量子效率的集中有效途径,如便面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射出结构、激光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光

  https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39

InGaN/gan多量子阱发光二极管的光谱特性研究

对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明pssleds具有较高的晶体质量。

  https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

基于双极传输母体的高效有机磷光发光器件

随后,forrest 小组将八乙基卟啉铂掺杂到小分子主体材料八羟基喹啉铝中制得了红色磷光有机电致发光器件,外量子效率达到4%。有机磷光电致发光器件能将单线态和三线态激子都用于发

  https://www.alighting.cn/resource/20141205/123969.htm2014/12/5 10:46:24

非等温模型下led芯片性能与衬底的关系

与其他两种衬底的led 芯片相比,以sic 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降

  https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37

InGaN_gan多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性

分析表明在老化过程中InGaN/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19

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