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采用5种不同中心激发波长的超高亮led作为激发光源构建了一套水体浮游植物活体荧光检测系统。利用该系统测量24种不同来源水样和同一水样10种不同比例稀释样品的浮游植物活体荧光强度,研
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127108.htm2011/9/21 9:18:36
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (14×14) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127375.htm2011/7/28 18:11:58
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (10×10) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127378.htm2011/7/28 17:31:47
本文为台湾新世纪InGaN led chips (12×12) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127381.htm2011/7/28 16:45:26
