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镓 gan)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
为实现200lm/w以上的发光效率，白色led正不断进行改进。不过，白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中，温度稳定性及显色指数等能够拉开差异的
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40
本文档为亚洲led照明高峰论坛上，中科院物理研究所的陈弘博士讲述一种InGaN晶粒制作白光led的方法,利用特殊的单层InGaN量子阱制备技术，使蓝光和黄光两个波长的混合，首列实
https://www.alighting.cn/resource/20110621/127494.htm2011/6/21 18:26:48
研究标明，随着温度下降，荧光粉量子效能升高，荧光粉在led封装中的感化在于光色复合。出光减少，辐射波长也会发生变化，从而引起白光led色温、色度的转变，较高的温度还会加速荧光
https://www.alighting.cn/resource/20110513/127621.htm2011/5/13 10:37:51
长的厚膜InGaN材料,在zno衬底上生长的厚膜InGaN材料
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
过去led只能拿来做为状态指示灯的时代，其封装散热从来就不是问题，但近年来led的亮度、功率皆积极提升，并开始用于背光与电子照明等应用后，led的封装散热问题已悄然浮现。
https://www.alighting.cn/resource/20110504/127670.htm2011/5/4 13:57:03
性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
晶元InGaN基led chip：es-ceblv10f【pdf】文档下载。
https://www.alighting.cn/resource/20110315/127885.htm2011/3/15 12:02:21
高光效、长寿命、低价格是白光led进入普通照明必过的叁关，提高芯片的内外量子效率、高技巧封装结构的设计及工艺、提高yag：ce3+的光转换效率是当前直面的叁题，认真研究粉体的相结
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128059.htm2011/2/11 10:26:04
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量比是
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
