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日本开发出使led发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透

  https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39

大阪大学教授制出GaN系半导体红光led组件

日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文,试制出利用GaN系半导体的红光led组件。藤原康文教授介绍,利用GaN系半导体的蓝光led组件及绿色led组件现已达

  https://www.alighting.cn/news/20090708/93786.htm2009/7/8 0:00:00

科锐与nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

科锐宣布与荷兰nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美

  https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13

aixtron新一代mocvd反应炉已达生产力目标

巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀,产量超过前一代系统的1倍,氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况

  https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00

韩led厂加码GaN基板研发 抢led照明市场

韩国led厂商为了和中国业者竞争,首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板,封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy),强化产品效能、延长使

  https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28

日本开发出使用氧化镓基板的GaN类led元件

日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31

需求增长 带动GaN先进衬底出现爆发性增长

strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出,目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长,这将推动类似GaN和aln等先进衬底市

  https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00

tdi宣布量产4吋GaN磊外延片和aln磊外延片

美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.(tdi)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的GaN磊外延片和al

  https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00

研究团队开发出效率大幅提昇的非极性GaN led

a barbara;ucsb)非极性GaN材料研究团队,日前宣佈该团队研发出的蓝紫光inGaN le..

  https://www.alighting.cn/news/20070510/106256.htm2007/5/10 0:00:00

GaN基板白色led 可提高车前灯设计自由度

松下在“electronica 2014”上展示了用于汽车前灯的白色led。松下的白色led的特点是,蓝色led芯片是在GaN基板上制造的。与通常的蓝宝石基板相比,更容易提高电

  https://www.alighting.cn/news/20141120/110405.htm2014/11/20 19:21:03

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