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GaN基led外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对

  https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32

华灿光电:购买ccs mocvd制造hb GaN led

汉的新厂房里,用于生产高亮(hb)GaN le

  https://www.alighting.cn/news/2007726/V2541.htm2007/7/26 14:22:10

非极性GaN led性能获重要突破

5月1日,加州大学圣巴巴拉分校(ucsb)非极性GaN材料研究小组(由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导)制造的蓝紫光inGaN le

  https://www.alighting.cn/news/2007511/V2418.htm2007/5/11 11:09:40

GaN类蓝色led的相关专利诉讼不断

围绕GaN类蓝色led的相关专利,大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼,为了与之对抗,丰田合成也起诉了日

  https://www.alighting.cn/news/20100820/103438.htm2010/8/20 14:00:24

GaN类蓝色led的相关专利诉讼不断

围绕GaN类蓝色led的相关专利,大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼,为了与之对抗,丰田合成也起诉了日

  https://www.alighting.cn/news/20100820/116138.htm2010/8/20 11:14:13

华灿光电订购反应室生产高亮GaN led

汉的新厂房里,用于生产高亮(hb)GaN le

  https://www.alighting.cn/news/20070718/116622.htm2007/7/18 0:00:00

松下发布10000v崩溃电压下的GaN功率管

本周,电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm),会上,来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管,其崩溃电压超

  https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00

俄罗斯政府为GaN led照明注资6300万

署了一份文件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体

  https://www.alighting.cn/news/20081216/121241.htm2008/12/16 0:00:00

2012年mocvd出货量将下降至342套

市场研究机构ims预测2012年GaN基mocvd的出货量将从2011年的654套降至342套,下降幅度达48%。当前正处谷底,预计今年二季度中后期会有缓慢的回升,该预测是基于

  https://www.alighting.cn/news/20120327/89383.htm2012/3/27 15:41:55

报告:led产能急速扩张 厂商盈利面临考验

最新报告显示,2010年第三季生产GaN led的金属有机化学气相沉积(mocvd)设备出货量又创新高,同时在2011和2012年供给增长将进一步超过需求成长的预期下,led过

  https://www.alighting.cn/news/20110308/90910.htm2011/3/8 13:50:08

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