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我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

led结构生长原理以及MOCVD外延系统的介绍

近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。

  https://www.alighting.cn/resource/20060314/128926.htm2006/3/14 0:00:00

led技术:外延片生长基本原理

外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和sic两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术

  https://www.alighting.cn/resource/20051208/128900.htm2005/12/8 0:00:00

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